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人民网丨中国成为第三个掌握相变存储技术的国家
更新时间： 2015-06-12
人民网宁波6月5日电 （方圆圆） 记者在宁波举行的新一代存储技术（中国）论坛上获悉，2013年11月，宁波时代全芯科技有限公司发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。中国也随之成为世界上第三个掌握相变存储技术的国家。2014年3月，该研发生产建设项目在宁波鄞州工业园区破土动工，将于2016年5月进行存储器试生产。
据介绍，目前静态随机存储技术、动态随机存储技术和快闪存储技术应用最为广泛。近几年才逐渐步入商品化的最新一代存储技术——相变存储技术，由于是利用材料相变产生不同的特性作资料存储，存储容量远远大于目前的高端硬盘。与现有传统芯片相比，相变存储器执行速度快1000倍，耐久性多1万倍。与快闪存储一样，相变存储是非挥发性的，但比快闪存储更耐用，通常快闪存储持续约为10万次读/写，而相变存储的耐用性数千至百万倍于闪存，其编程速度也比闪存具有数量级的优势，因此，这一新技术被认为会带来一个颠覆性的存储新时代。
据悉，相变存储技术目前在世界上只有有限的几家企业拥有，而中国芯片消费量占据全球三成以上，92％依赖国外进口。2013年，由力利记集团和世峰科技共同投资的宁波时代全芯科技有限公司宣布研发成功55纳米相变存储技术，成为目前中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，也一举打破了国外厂商在此市场上的垄断，目前已获得全球57项专利。